ITO靶材中的铟和低温银浆中的银是异质结电池制造成本高的主要原因之一

麦股份表示，ITO靶材中的铟和低温银浆中的银是异质结电池制造成本高的主要原因之一麦与SunDrive合作研发认证的电池采用磁控溅射的TCO镀膜方式通过麦研发的低铟含量解决方案，比常规异质结电池单片铟消耗量降低50%如果叠加设备的铟还原方案进一步降低40%，铟的消耗可以降低到常规水平的30%而电镀铜工艺节省了昂贵的银浆成本，这两种工艺的结合使异质结电池的制造成本降到了新低，同时保证了优异的光电转换效率